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 Maison/ Centre de produits / Équipement de faisceaux d'ions

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Table des matières

Catégories

  1. Machine d'insertion automatique
  2. Machine d'alimentation SMT
  3. Équipement périphérique SMT
  4. Machine de nettoyage de PCBA et de PCB
  5. Séparateur de circuits imprimés
  6. Collage de fils et de matrices
  7. Système de manipulation des cartes de circuits imprimés
  8. Équipement de faisceaux d'ions
  9. ESD Produit antistatique

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Machine de gravure par faisceau d'ions

La gravure par faisceau d'ions (IBE) est une technique de couche mince qui utilise une source d'ions pour effectuer des processus d'enlèvement de matière sur un substrat. L'IBE est un type de pulvérisation par faisceau d'ions et, qu'elle soit utilisée pour le pré-nettoyage ou la gravure de motifs, elle permet d'assurer une excellente adhérence et une formation précise des structures en 3D.
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Machine de gravure par faisceau d'ions

Description

Cette machine est une solution d'équipement de gravure physique à l'échelle nanométrique très collimatée, très précise et très fiable.

Permet la précision de la largeur des nanofils et la gravure de motifs de type multiple à rapport d'aspect élevé, non limitée par le type de matériau, la gravure par collimation élevée, la vitesse de gravure élevée et la bonne répétabilité.

Application

Réseaux planaires, réseaux spéciaux à grande surface, composants de diffraction DOE, dispositifs MEMS, circuits à couches minces, dispositifs intégrés photoniques

Caractéristiques
  • La source d'ions de l'élément central est contrôlable indépendamment.
  • Compatible avec IBE et RIBE, avec des modes de travail optionnels.
  • Convient à la gravure de haute précision de divers matériaux, avec une largeur de trait allant jusqu'à 20 nm.
  • Bonne capacité de traitement et fiabilité de la production.
  • Les parois inférieures et latérales du réseau SiO/Si sont droites.
  • Permet de contrôler indépendamment l'énergie du faisceau et le flux d'ions.
  • Le processus se déroule dans un environnement de travail à faible pression.
  • Produit une gravure anisotrope contrôlée.
  • Permet de graver tous les matériaux connus.
  • Permet de contrôler le profil angulaire grâce à un angle variable du faisceau de gravure par rapport à la surface de l'échantillon/du masque.
  • Permet de contrôler le profil/la paroi latérale et de façonner les caractéristiques.
  • Les capacités des gaz réactifs permettent des taux de gravure plus élevés et une gravure plus sélective de divers matériaux grâce à des espèces réactives.
Paramètres techniques

Taille du substrat gravable

6 pouces

Uniformité de la gravure

±5%

Matériau gravable

SiO2, SiNx, saphir, diamant, niobate de lithium, oxyde métallique, etc.

Gaz disponibles

N2, O2, Ar, gaz à base de fluor ou gaz mixte

Source d'ions RF

Puissance FR : 1KW, énergie du faisceau d'ions : 1000eV, courant du faisceau d'ions : 1000mA

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