SS 1126 SIC 全自動チップ分割機

処理能力

分割工程は、レーザースクラッチパスに沿って製品に一定量のわずかな圧力を加え、レーザースクラッチを破壊することです。プロセス：製品を左右対称の支持テーブル（中間距離は調整可能）に置き、高精度の視覚システムでレーザー切断位置を校正します。製品上部のスプリットナイフ（刃幅5μm）を素早く昇降させ、製品を切断経路に沿って移動させる。 レーザー傷の）亀裂と分離。

この技術は、様々なSIC、シリコンウェハー、サファイア、様々な混合脆性材料片に成熟的に適用されており、伝統的な産業における歩留まり率は、一般的に99%以上である。高い位置決め精度を持ち、効果的にエッジの崩壊を減らし、不完全な双晶破壊の問題を解決します。表面の技術的優位性

シリコンカーバイド加工ソリューション：チップを上に向け、ブレードの切削経路：

• クリーバーはチップに直接作用し、スクラッチプロセスを妨げることなく、視覚によって位置決めされる。道路外のエリアとの接触
• ブレード幅は約5umで、サポートテーブルの平坦度は5um以内である。関連コアモーション軸の位置決め精度は2um以内であり、運転精度を確保する。
• ウェハを保護し、チッピングのリスクを減らすという観点から、チップの前面に25μm以上の粘着性のない離型保護フィルムの層を追加して、ブレードを作ることを検討することが可能である。 ブレードは切断経路に直接接触せず、ブレードは切断経路に亀裂を与え、追加の圧力はほとんど無視することができる。